シラバス参照

科目名 マルチスケールメカトロニクス特別演習・実験1A 
科目名(英字) Advanced Multi-scale Mechatronics Advaced Practices and Experiments ⅠA 
担当者氏名

井上 真澄

対象研究科・専攻 理工学研究科メカトロニクス工学専攻修士課程 
講義学期 前期 
単位数



準備学習・事後学習
予め電磁気学,電気回路,電子回路と部品,コンピュータ・プログラミングの基礎について確認しておくこと。毎回の授業内容は次回までに復習して充分理解しておくこと。
毎回、演習・実験の半分の自学実習が求められる。 
授業の概要と目的
本授業では,電子デバイスの作製・評価を行うにあたり,実験と並んでよく用いられる,コンピュータによるデバイス特性の数値計算について学び,シミュレーション手法を身につける。デバイス開発におけるその役割および有効性を従来技術および研究動向から学ぶ。特性計算用のソフトウェアあるいはC言語によるプログラミングによるシミュレーション,特性解析などを行い,実際の特性との比較を行う。それに基づき,現状の課題を抽出し,目標を設定し,シミュレーションの基礎となるデバイス物理および適用する計算手法について理解を深める。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
本授業はCP1.2およびDP1.3.4に該当する。 
科目ナンバリングコード
GTR11307 
到達目標
数値計算によりデバイスにおける物理現象やデバイス特性の解析・検討ができる。



研究の背景,位置付けを明確にして目標を設定し,論理的な発表・記述により研究の説明を行う。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 序論  授業内容の概要と学び方,安全教育 
2. 従来技術調査(1)  デバイス物理,デバイス作製技術 
3. 従来技術調査(2)  計算物理における様々な数値計算,デバイス特性シミュレーション技術 
4. 研究動向調査(1)  デバイス物理,デバイス作製技術 
5. 研究動向調査(2)  デバイス特性シミュレーション技術 
6. 計画策定  実験・研究の目標・計画策定 
7. デバイス物理の基礎  対象とするデバイスの材料物性の概要,構造・特性の概要 
8. デバイスモデル検討  数値計算のためのモデル検討,数値計算モデルの数式化 
9. 中間報告  中間報告および今後の計画の議論 
10. 差分法によるシミュレーションの概要  計算手法の概要,結果の表示方法 
11. 数値計算によるデバイス物理現象・特性(1)   初期条件等パラメータの検討,測定結果との比較,モデルの再検討 
12. 数値計算によるデバイス物理現象・特性(2)   デバイス物理の考察,問題点の抽出,今後の課題の検討 
13. 数値計算プログラミング(1)  アルゴリズム検討・決定 
14. 数値計算プログラミング(2)  プログラム作成 
15. まとめ  これまでのまとめの発表および討論,報告書作成 
授業方法の形式
セミナーおよび実験 
授業の実施方法
対面授業 
成績評価方法
セミナー討論(50%):受講者間の議論を通しての講義内容についての理解度を確認する。
課題レポート(50%):講義内容の基礎的事項60%,応用問題40% 
成績評価基準
C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
その他(履修条件・関連科目など)
特になし 
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 特になし     
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 特になし(必要に応じて適宜指示)     
参考URL
1. 特になし   
画像
ファイル
更新日付 2023/01/27 13:20


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