シラバス参照

科目名 エレクトロニクス材料特別演習・実験2B 
科目名(英字) Advanced Seminar and Experiments in Electronic MaterialsⅡB 
担当者氏名

竹内 哲也

対象研究科・専攻 理工学研究科材料機能工学専攻修士課程 
講義学期 後期 
単位数



準備学習・事後学習
実験の方向性を決める知識と実験を遂行する技術の二つの能力確立を常に意識し、授業後に不足と感じた部分は各自必ず補っておくこと。課題については、授業内(もしくはメール)で解説や質問対応を行う。

毎回、演習・実験の半分の自学自習が求められます。 
授業の概要と目的
ワイドギャップ半導体材料およびそれを用いた光デバイスに関する研究を遂行する上で必要な実験技能を主に習得する。具体的には、設定された研究テーマに基づき、実験計画を策定する工程、実験手法を理解・選択する工程、実際に実験を遂行する工程、そして得られた実験結果を考察する工程を通して主体的に学ぶ。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP1.2.3.4.5およびCP1.2.3.4.5に該当する。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
科目ナンバリングコード
到達目標
研究テーマに基づき、主体的な実験計画の策定、実験手法の理解・選択、実験遂行、そして実験結果の考察ができるようにする。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 研究テーマの計画修正  中間報告結果を踏まえて、当初策定した計画の修正を行う。 
2. 光デバイス設計手法の習得1  光デバイスの設計手法の習得をする。基本的な原理を理解し、簡単な式を用いて設計をする。 
3. 光デバイス設計手法の習得2  シミュレーションソフトによる光デバイス構造の設計について習得する。 
4. 光デバイス形成技術の習得1  光デバイス形成技術を習得する。レジストパターニング、エッチング、金属蒸着、絶縁層堆積手法について習得する。 
5. 光デバイス形成技術の習得2  各形成装置のメンテナンスについても習得する。 
6. 光デバイス評価技術の習得1  光デバイスの評価技術を習得する。電流・電圧・光出力測定、発光スペクトル測定について習得する。 
7. 光デバイス評価技術の習得2  各装置のメンテナンスについても習得する。 
8. 光デバイス設計1  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
9. 光デバイス形成1  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
10. 光デバイス評価1  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
11. 実験結果の考察1  得られた結果の精度を検討し、考察に値する結果かどうか判断する。 
12. 実験進捗報告および全体討論  行った実験、その結果、そして今後の予定に関して報告・討論する。 
13. 実験進捗報告および全体討論  行った実験、その結果、そして今後の予定に関して報告・討論する。 
14. 実験進捗報告および全体討論  次回の研究成果発表に向けた準備を行う。 
15. 研究成果発表  これまでの研究成果をまとめ、発表をする。 
その他(履修条件・関連科目など)
光・量子エレクトロニクス特論Ⅱを履修していること 
授業形態・方法
講義、全体討論、およびプレゼンテーション(対面授業) 
成績評価方法
全体討論およびプレゼンテーションから総合的(100%)に評価する
C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
成績評価基準
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. なし     
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 講義中に指定する     
参考URL
画像
ファイル
更新日付 2021/11/22 16:37


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