シラバス参照

科目名 光・量子エレクトロニクス特論2 
科目名(英字) Advanced Optical and Quantum ElectronicsⅡ 
担当者氏名

竹内 哲也

対象研究科・専攻 理工学研究科材料機能工学専攻修士課程 
講義学期 後期 
単位数



準備学習・事後学習
量子力学、半導体基礎論、半導体工学、誘電体工学などを十分復習しておくこと。レポートの質問対応は、追・再試験終了後に研究室で個別に行う。

毎回、講義時間の2倍の自学自習が求められます。 
授業の概要と目的
半導体デバイス特論Ⅰでは、主にLED内におけるキャリア生成・消費について学ぶが、同Ⅱではレーザ共振器内の光生成と・消費に関して学ぶ。さらに、実践的に半導体レーザの実験データから重要な内部パラメータが求められることを理解する。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP1およびCP1に該当する。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
科目ナンバリングコード
到達目標
レーザにおける光とキャリアのレート方程式、および実際の半導体レーザの評価の理解。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 本講義の概要  本講義で学ぶ内容の全体像を概説する 
2. レーザにおけるしきい値利得(1)  共振器内の光の伝搬を理解する 
3. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
4. レーザにおけるしきい値利得(2)  レーザ発振条件を理解する 
5. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
6. 注入電流と反射率の関係(1)  電流注入に対する光出力を理解する 
7. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
8. 注入電流と反射率の関係(2)  反射率に対する光出力を理解する 
9. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
10. 電流-光出力特性  しきい値電流と微分量子効率の理論値を理解する 
11. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
12. 内部パラメータの算出  微分量子効率のミラー損失依存性により内部パラメータが算出できることを理解する 
13. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
14. まとめ  全範囲の理解度を確認する 
15. 演習  前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する 
その他(履修条件・関連科目など)
半導体デバイス特論Ⅰを履修していること。 
授業形態・方法
輪講形式で進めるため、各自入念な準備をして臨むこと。(対面授業) 
成績評価方法
平常点と実習レポート点により総合的に(100%)評価する。C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
成績評価基準
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits  L.A. Coldren and S.W. Corzine  A Wiley-Interscience Publication 
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 光エレクトロニクス  日本材料科学会編  裳華房 
参考URL
画像
ファイル
更新日付 2021/11/22 16:37


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