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準備学習・事後学習
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量子力学、半導体基礎論、半導体工学、誘電体工学などを十分復習しておくこと。レポートの質問対応は、追・再試験終了後に研究室で個別に行う。
毎回、講義時間の2倍の自学自習が求められます。
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授業の概要と目的
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半導体デバイス特論Ⅰでは、主にLED内におけるキャリア生成・消費について学ぶが、同Ⅱではレーザ共振器内の光生成と・消費に関して学ぶ。さらに、実践的に半導体レーザの実験データから重要な内部パラメータが求められることを理解する。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP１およびCP１に該当する。
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該当するCP（カリキュラム・ポリシー）およびDP（ディプロマ・ポリシー）
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科目ナンバリングコード
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到達目標
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レーザにおける光とキャリアのレート方程式、および実際の半導体レーザの評価の理解。
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授業内容
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番号
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【項目欄】
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【内容欄】
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1．
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本講義の概要
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本講義で学ぶ内容の全体像を概説する
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2．
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レーザにおけるしきい値利得（1）
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共振器内の光の伝搬を理解する
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3．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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4．
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レーザにおけるしきい値利得（2）
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レーザ発振条件を理解する
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5．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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6．
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注入電流と反射率の関係（1）
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電流注入に対する光出力を理解する
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7．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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8．
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注入電流と反射率の関係（2）
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反射率に対する光出力を理解する
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9．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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10．
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電流-光出力特性
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しきい値電流と微分量子効率の理論値を理解する
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11．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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12．
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内部パラメータの算出
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微分量子効率のミラー損失依存性により内部パラメータが算出できることを理解する
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13．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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14．
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まとめ
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全範囲の理解度を確認する
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15．
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演習
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前記範囲内の式の導出およびその意味を理解する
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その他（履修条件・関連科目など）
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授業形態・方法
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輪講形式で進めるため、各自入念な準備をして臨むこと。（対面授業）
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成績評価方法
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平常点と実習レポート点により総合的に（100％）評価する。C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。
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成績評価基準
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テキスト
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番号
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【書籍名】
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【著者】
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【出版社】
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1．
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Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits
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L.A. Coldren and S.W. Corzine
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A Wiley-Interscience Publication
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参考資料文献等
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番号
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【書籍名】
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【著者】
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【出版社】
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1．
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光エレクトロニクス
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日本材料科学会編
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裳華房
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参考URL
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画像
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ファイル
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更新日付
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2021/11/22 16:37
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