シラバス参照

科目名 エレクトロニクス材料特別演習・実験2A 
科目名(英字) Advanced Seminar and Experiments in Electronic MaterialsⅡA 
担当者氏名

竹内 哲也

対象研究科・専攻 理工学研究科材料機能工学専攻修士課程 
講義学期 前期 
単位数



準備学習・事後学習
英語で書かれた参考文献調査や英語による成果報告の可能性も踏まえて、英語能力をブラッシュアップしておくこと。課題については、授業内(もしくはメール)で解説や質問対応を行う。

毎回、演習・実験の半分の自学自習が求められます。 
授業の概要と目的
ワイドギャップ半導体材料およびそれを用いた光デバイスに関する研究を遂行する上で必要な知識・考え方を習得する。具体的には、研究テーマの設定や計画を策定する工程、得られた実験結果を基に結論を導出する工程、そして、それらを論文にまとめて成果を報告する工程を通して主体的に学ぶ。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP1.2.3.4.5およびCP1.2.3.4.5に該当する。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
科目ナンバリングコード
到達目標
研究テーマの位置づけを理解し、それに基づいた主体的な計画策定、結論導出そして成果報告ができるようにする。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 研究遂行における全体方針  全体内容のガイダンスを行う。 
2. 研究テーマ例の紹介  研究テーマの紹介を行う。これにより、研究テーマを選択する。 
3. 研究テーマの背景調査  上記研究テーマに関する背景を調査し、解決すべき課題を認識する。 
4. 研究テーマの計画策定  選択した研究テーマを遂行するための計画を策定する。 
5. 安全に関する説明(薬品・ガス・実験装置取扱い)  実験を進める上で必要な安全に関する基本的知識を伝える。 
6. 半導体材料設計手法の習得1  半導体材料設計手法を習得する。窒化物半導体の諸特性を理解する。 
7. 半導体材料設計手法の習得2  窒化物半導体混晶、ヘテロ接合、量子井戸構造について理解する。 
8. 半導体結晶成長技術の習得1  半導体結晶成長に関する技術の習得を目指す。特にMOCVD装置による結晶成長技術を習得する。 
9. 半導体結晶成長技術の習得2  成長装置のメンテナンスについても習得する。 
10. 半導体結晶評価技術の習得1  半導体結晶の評価技術を習得する。特に、X線回折曲線測定、フォトルミネッセンス測定、AFM測定について習得する。 
11. 半導体結晶評価技術の習得2  評価装置のメンテナンスについても習得する。 
12. 半導体材料設計  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
13. 半導体結晶成長  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
14. 半導体結晶評価  左記の項目に対して習得した技術を踏まえて、研究テーマ遂行のための実験を行う。 
15. 研究成果発表  上記に基づいて進捗状況と今後の方針を報告する。 
その他(履修条件・関連科目など)
光・量子エレクトロニクス特論Ⅰを履修していること 
授業形態・方法
講義、全体討論、およびプレゼンテーション 
成績評価方法
全体討論およびプレゼンテーションから総合的(100%)に評価する
C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
成績評価基準
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. なし     
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 講義中に指定する     
参考URL
画像
ファイル
更新日付 2021/11/22 16:37


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