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番号
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【項目欄】
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【内容欄】
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1．
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研究テーマの背景調査と計画策定
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前年度の研究成果を鑑み、必要に応じて博士論文における研究テーマの方向を修正する。残り2年間にわたる研究計画を策定する。
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2．
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実験装置と安全に関する説明（薬品・ガス・実験装置取扱い）
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上記計画遂行を進める上での安全に対する考え方を把握し、必要となる実験装置のオペレーションから薬品やガスなどの危険物の取り扱いについて理解する。
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3．
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窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術4
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光デバイス層構造は、エピタキシャル成長により形成する必要がある。窒化物半導体材料設計技術をベースに光デバイス構造に必要な要素構造をエピタキシャル成長で形成する手法、特に有機金属化合物気相成長法について理解し、実践、検証する。
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4．
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窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術5
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上記要素構造を組み合わせて、光デバイス層構造をエピタキシャル成長で形成する手法について理解し、実践、検証する。
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5．
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窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術6
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上記、要素構造や光デバイス構造をエピタキシャル成長する際に、その場観察手法を用いて成長する構造を制御する手法について理解し、実践、検証する。
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6．
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実験進捗報告および全体討論
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得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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7．
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窒化物半導体光デバイス形成技術4
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エピタキシャル成長により形成した素子層構造を素子化するにはデバイスプロセスが必要である。ここでは、リソグラフィ、エッチング、蒸着、アニールそしてスパッタなどの各デバイスプロセスについて理解し、実践、検証する。
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8．
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窒化物半導体光デバイス形成技術5
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上記デバイスプロセスを用いて、求められる特性（例えば、反射率、絶縁性、導電性）を得られる各条件を理解し、実践、検証する。
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9．
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窒化物半導体光デバイス形成技術6
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上記デバイスプロセスを用いて、目標とする光デバイス構造の形成について、理解し、実践、検証する。
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10．
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実験進捗報告および全体討論
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得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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11．
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窒化物半導体光デバイス評価技術4
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作製した光デバイスの特性を把握するためには、これら素子特性の評価が必要である。ここでは、光デバイスの電流・電圧・発光強度特性の測定・評価について理解し、実践、検証する。
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12．
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窒化物半導体光デバイス評価技術5
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光デバイスの様々な発光特性（近視野像、遠視野像、各モード）の測定・評価について理解し、実践、検証する。
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13．
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窒化物半導体光デバイス評価技術6
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測定・評価した特性を解析することで、光デバイスが有する重要な内部パラメータを算出する測定・評価について理解し、実践、検証する。
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14．
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実験進捗報告および全体討論
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得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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15．
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研究成果発表
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上記実験結果と考察をまとめ、当初の目標および計画に対する達成事項と未達事項を整理し、翌年度進むべき方向を明確にする。
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