シラバス参照

科目名 エレクトロニクス材料工学特殊研究4 
科目名(英字) Advanced Research in Electronic Materials Engineering Ⅳ 
担当者氏名

竹内 哲也

対象研究科・専攻 理工学研究科電気・情報・材料・物質工学専攻博士後期課程 
講義学期 後期 
単位数



準備学習・事後学習
博士として研究の方向性を決める知識と実験を遂行する技術の二つの能力確立を常に意識し、授業後に不足と感じた部分は各自必ず補っておくこと。課題については、授業内(もしくはメール)で解説や質問対応を行う。

毎回、演習・実験の半分の自学自習が求められます。 
授業の概要と目的
窒化物半導体材料およびそれを用いた光デバイスに関する研究を遂行する上で必要な知識と実技を主に習得する。具体的には、設定された研究テーマに基づき、実験計画を策定する工程、実験手法を理解し、実際に遂行する工程、得られた実験結果を考察する工程、そしてそれらから結論を導き出し、次なる方向性を見出す工程を主体的に体得する。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP1.2.3.4.5およびCP1.2.3.4.5に該当する。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
科目ナンバリングコード
到達目標
研究テーマに基づき、実験計画の策定、実験手法の理解、遂行、実験結果の考察、そして結論の導出までが主体的にできるようにする。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 研究テーマの背景調査と計画策定  前年度の研究成果を鑑み、必要に応じて博士論文における研究テーマの方向を修正する。残り2年間にわたる研究計画を策定する。 
2. 実験装置と安全に関する説明(薬品・ガス・実験装置取扱い)  上記計画遂行を進める上での安全に対する考え方を把握し、必要となる実験装置のオペレーションから薬品やガスなどの危険物の取り扱いについて理解する。 
3. 窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術4  光デバイス層構造は、エピタキシャル成長により形成する必要がある。窒化物半導体材料設計技術をベースに光デバイス構造に必要な要素構造をエピタキシャル成長で形成する手法、特に有機金属化合物気相成長法について理解し、実践、検証する。 
4. 窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術5  上記要素構造を組み合わせて、光デバイス層構造をエピタキシャル成長で形成する手法について理解し、実践、検証する。 
5. 窒化物半導体光デバイスエピタキシャル成長技術6  上記、要素構造や光デバイス構造をエピタキシャル成長する際に、その場観察手法を用いて成長する構造を制御する手法について理解し、実践、検証する。 
6. 実験進捗報告および全体討論  得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
7. 窒化物半導体光デバイス形成技術4  エピタキシャル成長により形成した素子層構造を素子化するにはデバイスプロセスが必要である。ここでは、リソグラフィ、エッチング、蒸着、アニールそしてスパッタなどの各デバイスプロセスについて理解し、実践、検証する。 
8. 窒化物半導体光デバイス形成技術5  上記デバイスプロセスを用いて、求められる特性(例えば、反射率、絶縁性、導電性)を得られる各条件を理解し、実践、検証する。 
9. 窒化物半導体光デバイス形成技術6  上記デバイスプロセスを用いて、目標とする光デバイス構造の形成について、理解し、実践、検証する。 
10. 実験進捗報告および全体討論  得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
11. 窒化物半導体光デバイス評価技術4  作製した光デバイスの特性を把握するためには、これら素子特性の評価が必要である。ここでは、光デバイスの電流・電圧・発光強度特性の測定・評価について理解し、実践、検証する。 
12. 窒化物半導体光デバイス評価技術5  光デバイスの様々な発光特性(近視野像、遠視野像、各モード)の測定・評価について理解し、実践、検証する。 
13. 窒化物半導体光デバイス評価技術6  測定・評価した特性を解析することで、光デバイスが有する重要な内部パラメータを算出する測定・評価について理解し、実践、検証する。 
14. 実験進捗報告および全体討論  得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
15. 研究成果発表  上記実験結果と考察をまとめ、当初の目標および計画に対する達成事項と未達事項を整理し、翌年度進むべき方向を明確にする。 
その他(履修条件・関連科目など)
授業形態・方法
講義、全体討論、およびプレゼンテーション 
成績評価方法
全体討論およびプレゼンテーションから総合的(100%)に評価する
C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
成績評価基準
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. なし     
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 講義中に指定する     
参考URL
画像
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更新日付 2021/11/22 16:36


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