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番号
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【項目欄】
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【内容欄】
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1.
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研究テーマの背景調査と計画策定
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前年度の研究成果を鑑み、必要に応じて博士論文における研究テーマの方向を修正する。残り2年間にわたる研究計画を策定する。
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2.
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実験装置と安全に関する説明(薬品・ガス・実験装置取扱い)
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上記計画遂行を進める上での安全に対する考え方を把握し、必要となる実験装置のオペレーションから薬品やガスなどの危険物の取り扱いについて理解する。
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3.
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窒化物半導体材料設計技術4
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光デバイス実現には混晶によるヘテロ接合とドーピングによる電気伝導制御が必須である。ここでは、主に混晶形成について理解し、実践、検証する。
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4.
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窒化物半導体材料設計技術5
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主に上記混晶を用いたヘテロ接合とその界面形成について理解し、実践、検証する。
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5.
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窒化物半導体材料設計技術6
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主に混晶に対するドーピングによる電気伝導制御について理解し、実践、検証する。
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6.
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実験進捗報告および全体討論
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ここまでに得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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7.
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窒化物半導体結晶評価技術4
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光デバイス実現には、それに用いる結晶の様々な特性を正しく把握する必要がある。ここでは、主に作製した結晶の結晶学的特性について把握する手法について理解し、実践、検証する。
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8.
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窒化物半導体結晶評価技術5
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主に作製した結晶の光学的特性について把握する手法について理解し、実践し、検証する。
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9.
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窒化物半導体結晶評価技術6
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主に作製した結晶の電気的特性について把握する手法について理解し、実践、検証する。
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10.
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実験進捗報告および全体討論
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得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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11.
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窒化物半導体光デバイス設計技術4
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光デバイスを実現するには、求められる特性を満たすためのデバイス構造の設計が必要である。ここでは、主に共振器、光導波路、活性層などの、光デバイスにおける要素構造の設計を行う。
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12.
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窒化物半導体光デバイス設計技術5
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主にエピタキシャル成長による層構造の設計について理解し、実践、検証する。
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13.
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窒化物半導体光デバイス設計技術6
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主にデバイスプロセスによる素子構造の設計について理解し、実践、検証する。
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14.
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実験進捗報告および全体討論
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得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。
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15.
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研究成果中間報告
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上記実験結果と考察をまとめ、当初の目標および計画に対する達成事項と未達事項を整理し、後期に進むべき方向を明確にする。
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