シラバス参照

科目名 エレクトロニクス材料工学特殊研究3 
科目名(英字) Advanced Research in Electronic Materials Engineering Ⅲ 
担当者氏名

竹内 哲也

対象研究科・専攻 理工学研究科電気・情報・材料・物質工学専攻博士後期課程 
講義学期 前期 
単位数



準備学習・事後学習
博士として研究の方向性を決める知識と実験を遂行する技術の二つの能力確立を常に意識し、授業後に不足と感じた部分は各自必ず補っておくこと。課題については、授業内(もしくはメール)で解説や質問対応を行う。

毎回、演習・実験の半分の自学自習が求められます。 
授業の概要と目的
窒化物半導体材料およびそれを用いた光デバイスに関する研究を遂行する上で必要な知識と実技を主に習得する。具体的には、設定された研究テーマに基づき、実験計画を策定する工程、実験手法を理解し、実際に遂行する工程、得られた実験結果を考察する工程、そしてそれらから結論を導き出し、次なる方向性を見出す工程を主体的に体得する。授業内容が研究開発にどのように応用されているかについて、実務経験をもとに授業を実施する。
本授業はDP1.2.3.4.5およびCP1.2.3.4.5に該当する。 
該当するCP(カリキュラム・ポリシー)およびDP(ディプロマ・ポリシー)
科目ナンバリングコード
到達目標
研究テーマに基づき、実験計画の策定、実験手法の理解、遂行、実験結果の考察、そして結論の導出までが主体的にできるようにする。 
授業内容
番号 【項目欄】 【内容欄】
1. 研究テーマの背景調査と計画策定  前年度の研究成果を鑑み、必要に応じて博士論文における研究テーマの方向を修正する。残り2年間にわたる研究計画を策定する。 
2. 実験装置と安全に関する説明(薬品・ガス・実験装置取扱い)  上記計画遂行を進める上での安全に対する考え方を把握し、必要となる実験装置のオペレーションから薬品やガスなどの危険物の取り扱いについて理解する。 
3. 窒化物半導体材料設計技術4  光デバイス実現には混晶によるヘテロ接合とドーピングによる電気伝導制御が必須である。ここでは、主に混晶形成について理解し、実践、検証する。 
4. 窒化物半導体材料設計技術5  主に上記混晶を用いたヘテロ接合とその界面形成について理解し、実践、検証する。 
5. 窒化物半導体材料設計技術6  主に混晶に対するドーピングによる電気伝導制御について理解し、実践、検証する。 
6. 実験進捗報告および全体討論  ここまでに得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
7. 窒化物半導体結晶評価技術4  光デバイス実現には、それに用いる結晶の様々な特性を正しく把握する必要がある。ここでは、主に作製した結晶の結晶学的特性について把握する手法について理解し、実践、検証する。 
8. 窒化物半導体結晶評価技術5  主に作製した結晶の光学的特性について把握する手法について理解し、実践し、検証する。 
9. 窒化物半導体結晶評価技術6  主に作製した結晶の電気的特性について把握する手法について理解し、実践、検証する。 
10. 実験進捗報告および全体討論  得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
11. 窒化物半導体光デバイス設計技術4  光デバイスを実現するには、求められる特性を満たすためのデバイス構造の設計が必要である。ここでは、主に共振器、光導波路、活性層などの、光デバイスにおける要素構造の設計を行う。 
12. 窒化物半導体光デバイス設計技術5  主にエピタキシャル成長による層構造の設計について理解し、実践、検証する。 
13. 窒化物半導体光デバイス設計技術6  主にデバイスプロセスによる素子構造の設計について理解し、実践、検証する。 
14. 実験進捗報告および全体討論  得られた実験結果を適切に整理、報告し、全体討論も行いながら、結果を積み重ねて正しく解釈する。 
15. 研究成果中間報告  上記実験結果と考察をまとめ、当初の目標および計画に対する達成事項と未達事項を整理し、後期に進むべき方向を明確にする。 
その他(履修条件・関連科目など)
授業形態・方法
講義、全体討論、およびプレゼンテーション 
成績評価方法
全体討論およびプレゼンテーションから総合的(100%)に評価する
C(合格)となるためには、到達目標を最低限達成することが必要である。 
成績評価基準
テキスト
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. なし     
参考資料文献等
番号 【書籍名】 【著者】 【出版社】
1. 講義中に指定する     
参考URL
画像
ファイル
更新日付 2021/11/22 16:35


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